argon ion etching的意思|示意
氩离子蚀刻
argon ion etching的用法详解
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Argon Ion Etching：
Argon Ion Etching 是一种用高能氩离子束蚀刻目标物和表面设备的工艺，可用于处理半导体表面，研究生长的晶体，还用于复杂电子集成系统的蚀刻、塑料的细切和加工精密的金属图案。
它是一种高度可控的电子束蚀刻技术，利用氩离子辐照和激光技术，精确调节离子能量、离子流量和蚀刻时间。传统的氩离子蚀刻技术通常可以清除金属结构的多达25微米的蚀刻深度。
Argon Ion Etching 采用恒定交流加电电压，在半导体表面产生由氩离子组成的离子束。这些原子离子由减压室放出，由腔体磁场引导，并利用电子束源发射到表面设备，然后经由电子束焦点于表面下层蚀刻表面。离子束时定向的，可以准确地蚀刻任何几何形状的表面。
此外，氩离子蚀刻可以在不影响表面特性的前提下进行，并可以精确的控制离子束的功率、离子流速和蚀刻时间。由于氩离子蚀刻可以形成完美的毛刺，因此，它是用在半导体芯片制造工艺中的关键工艺之一。
总之，Argon Ion Etching 是一项先进技术，可以非常有效地处理半导体表面，研究生长的晶体，还用于复杂电子集成系统的蚀刻、塑料的细切和加工精密的金属图案。
'argon ion etching相关短语
1、 argon-ion etching 氩离子蚀刻
2、 argon ion beam etching 氩离子束刻蚀