atomic layer epitaxy的意思|示意

美 / əˈtɔmik ˈleiə ˈepitæksi / 英 / əˈtɑmɪk ˈleɚ ˈɛpɪˌtæksi /

原子层外延，原子层沉积

atomic layer epitaxy的用法详解

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Atomic Layer Epitaxy（ALE）是一种用于制备超薄层的生长技术，是一种新的基于原子层的半导体生长技术。它允许在设定的原子层厚度下，将原子精确地定位在晶体表面上，从而形成一层层结构，从而获得高质量的半导体材料。

Atomic Layer Epitaxy主要用于制造半导体器件以及传感器，其制造的器件具有超低功耗、超小体积和低成本等优点。例如，ALE可以应用于制备垂直有源晶体管（VFET），该器件具有低功耗、小尺寸和超高速等优点，适用于高端电子应用。

ALE还可以用于制造发光二极管（LED）。这种技术使LED的发光效率大大提高，具有明亮、纯净及耐热等优点，应用于照明、节能、显示屏等领域。

Atomic Layer Epitaxy技术具有可控性强、体积小、功耗低等优点，可以用来制备有效率和高质量的半导体器件和传感器，应用于许多电子应用领域，也是当今半导体技术的重要发展方向之一。

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