background doping的意思|示意

美 / ˈbækɡraund ˈdəupiŋ / 英 / ˈbækˌɡraʊnd ˈdopɪŋ /

本底掺杂

background doping是指在制造晶体管器件材料中，将少量不影响晶体管被选择性掺入表面掺入掺杂元素。相较于实习掺入，background doping不会有影响到整个晶体管的特性，只会减少栅极外部漏电流，达到降低器件功耗的目的。

要使用background doping，首先要确定需要掺入的掺杂元素，一般情况下，boron，phosphorus，arsenic和antimony都被用作掺杂元素。然后，控制正确的温度，选择合适的迁移速率，完成背景掺杂的过程。

最后，要记住背景掺杂的深度，建议不要超过1-3um的深度，这可以防止掺杂深度对晶体管行为的影响。若掺杂元素的深度大于1-3um深度，晶体管的行为将会受到影响。

总结一下，背景doping是指在制造晶体管器件材料中，将少量不影响晶体管被选择性地掺入表面掺入掺杂元素。除了选择正确的掺杂元素，还要控制正确的温度和迁移速率，最后要注意不要超过1-3um的掺杂深度。

2、 background doping level 本底掺杂能级