crystal doping的意思|示意
晶体掺杂
crystal doping的用法详解
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crystal doping是指研究者将某种特定离子（称为掺杂离子）加入固体晶体中，以改变其性质的一种技术。它被广泛用于晶体管、太阳能电池等半导体器件的制造；晶体激光器件也使用掺杂离子来控制能级结构。
Crystal doping的益处在于，掺杂离子可以改变晶体的电子性质，从而使器件的功能的改变，增加或减少器件的耐久性。例如，将硅晶体中的掺杂离子使用到硅晶体中以改善他们的导电性，使其具有更好的导电性和功耗。此外，掺杂离子也可以增加晶体的压缩变形，从而使其具有更强的耐久性和热导率。
掺杂的离子的类别主要包括金属离子，碱金属离子和非金属离子。在晶体上使用掺杂离子时，常常使用离子束来植入掺杂离子。此外，半导体器件可以通过利用在表面渗入金属离子，来改变其电子性质，从而提高性能。
Crystal doping使用于半导体器件，其作用是使其具有更好的性能，耐久性和热稳定性。它是一项技术，可以有效地改变器件的电子性质，提高器件的性能。
'crystal doping相关短语
1、 doping CLBO crystal 掺杂CLBO晶体
2、 double doping ktp crystal 双掺质ktp晶体
3、 doping lithium niobate crystal 掺杂铌酸锂晶体
4、 Doping and Mixed Crystal Modification 掺杂混晶改性