high electron mobility transistor的意思|示意
高电子迁移率晶体管
high electron mobility transistor的用法详解
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High electron mobility transistor（HEMT）是一种采用内含金属氧化物介质（MOS）结构的类晶体管。它是在普通MOSFETs下把金属氧化物层加厚到一定程度，以使非极性空位密度增加，减少导通阻抗，提高放大器效率，从而极大提高了元器件的电子迁移率的空间控制的半导体器件。
HEMT具有良好的低噪声特性，优异的动态压控效率，更高的电子迁移率，更低的输入和输出阻抗，更大的放大器有源阻抗，更大的最大输出电流和更高的线性度。它对低频放大和高频电路具有良好的效果，可以在超性能放大应用和高效率推挽放大器中应用。
HEMT也可以用于低电压放大器，例如小功率放大器和小信号放大器，还可以用于高速放大器，如高速电话放大器，汽车和航空电子设备，还可以用于高信噪比放大器和模拟数字放大器，Besides, HEMT can also be used in microwave amplifiers, frequency multipliers, and radio frequency circuits.
总的来说，HEMT的优点是拥有更高的电子迁移率，更大的有源阻抗，更高的最大输出电流，更高的增益线性度，低噪声等优点，因此可用于超性能放大应用和高效率推挽放大器，高信噪比放大器，模拟数字放大器，微波放大器，增频器，无线电频率电路等。
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