indirect gap semiconductor的意思|示意

美 / ˌɪndiˈrekt ɡæp ˌsemikənˈdʌktə / 英 / ˌɪndɪˈrɛkt ɡæp sɛmikənˈdʌktɚ /

间接能隙半导体

英语单词indirect gap semiconductor的用法讲解

Indirect gap semiconductor是半导体材料的一种类型，其中电子跃迁所需的动能比较小，而光子的能量比较高。这种半导体的能带结构使得电子与空穴之间不能直接传递电荷，必须通过一个中间状态才能进行跃迁，因此称为间接带隙半导体。

Indirect gap semiconductor主要由硅、锗、砷化镓等材料组成，这些材料在电子学、光电子学、材料科学等领域中具有广泛的应用。例如，硅材料在计算机芯片、太阳能电池等领域中得到了广泛应用，砷化镓则被用于激光、LED、太阳能电池等领域。

在研究半导体材料和相关技术时，理解indirect gap semiconductor的特点和应用十分重要。这有助于我们更好地掌握半导体材料的性质和应用，以及在实际工程中如何选择和应用合适的材料。