indium arsenide的意思|示意

美 / ˈindiəm ˈɑ:sənaid / 英 / ˈɪndiəm ˈɑrsəˌnaɪd /

[无化] 砷化铟

Indium arsenide是一种III-V族半导体材料，其化学式为InAs。它由两种元素——铟（In）和砷（As）组成，具有优异的电学、光学与力学性质，被广泛应用于电子学、光电子学、能源等领域。

一、电子学应用

Indium arsenide在电子学领域被广泛应用于高速电子设备和高频传输线路，并可应用于磁电阻器、太阳电池和半导体激光器等器件中。它的高移动率和高饱和漂移速度使得它在高速场效应晶体管中非常有效。

二、光电子学应用

Indium arsenide在光电子学领域中有着独特的应用价值。它被用于制造红外探测器、半导体激光器、光纤通讯器件等。Indium arsenide的带隙在波长860纳米左右，因此在近红外光谱范围内非常有效。

三、能源应用

Indium arsenide也能够应用于能源领域。它可以制成高效率的太阳能电池，并且这种太阳能电池可以在低光照强度下工作。同时，具有电学优异性的InAs材料也可用作热电偶和热电冷却器。

总之，Indium arsenide在半导体材料领域有着重要的应用价值，在电子学、光电子学和能源领域都有着广泛的应用。

2、 Indium Gallium Arsenide 砷化铟镓,铟镓砷化物

3、 indium arsenide band gap 砷化铟电子迁移率

4、 indium-arsenide hole mobility 砷化铟红外探测器