ion implantation的意思|示意

美 / ˈaɪən ˌimplɑ:nˈteiʃən / 英 / ˈaɪən ˌɪmplænˈteʃən /

离子移植,离子注入,离子注入法


ion implantation的用法详解

英语单词ion implantation的用法讲解

Ion implantation是一种材料加工技术,它将离子注射到半导体材料中以改变其性质。此技术广泛应用于半导体制造业,特别是用于制造微电子器件。

Ion implantation的过程是将离子束定向加速并注射到半导体材料中,在材料表面形成一层注入层。离子注入层的深度和离子浓度可以通过控制注射能量和剂量来调整。

通过Ion implantation,可以改变半导体的电学性质、热学性质和光学性质。例如,可以通过注射硼离子使半导体变成p型;通过注射磷离子使半导体变成n型。

Ion implantation还被广泛用于制造高端表面涂层。例如,可以使用金属离子注射机将金属离子注入到制造零件的表面,从而提高其表面硬度、耐磨性和耐腐蚀性。

总之,Ion implantation是一种非常重要的材料加工技术,它在半导体制造和高端表面处理方面具有广泛的应用。

ion implantation相关短语

1、 angled ion implantation 倾斜离子注入

2、 maskless ion implantation 无掩模离子注入

3、 masked ion implantation 掩蔽离子注入

4、 high dosage ion implantation 高剂量离子注入

5、 ion implantation gettering 离子注入吸除

6、 ion implantation mask 离子注入掩膜

7、 ion implantation annealing 离子注入后退火

8、 low energy ion implantation 低能离子注入

9、 low dosage ion implantation 低剂量离子注入

ion implantation相关例句

Ion implantation is a well established technique for surface property modification of materials.

离子注入是一种成熟的材料表面改性技术.

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This paper summarises the principle, characters, application and trend of development of Plasma Immersion Ion Implantation.

本文扼要地介绍了等离子体湮没离子注入的基本原理 、 特点 、 应用效果及发展趋向.

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An ultra low insertion loss GaAs MMIC RF SPDT switch based on full - ion - implantation technology is reported.

报道了利用离子注入技术研制出一种用于手机的超低插损砷化镓单片射频单刀双掷开关.

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Plasma source ion implantation is a new non-line of sight ion implantation technique for surface modification of materials.

等离子体源离子注入技术是一种新型的非视线的离子注入材料表面改性技术。

The influence of ion implantation on the superconductivities of Yttrium - based and Bi - based superconductors is described.

描述了离子注入对钇系和铋系超导体超导电性的影响.

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Deep ion implantation modulates punch -through voltage.

深离子注入调整源漏穿通电压。

The phosphorus - doped diamond - like carbon ( DLC ) films were fabricated by plasma immersion ion implantation and deposition ( P - D ) .

应用等离子体浸没离子注入与沉积方法合成了磷掺杂的类金刚石 ( diamondlikecarbon,DLC ) 薄膜.

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The READE (Rare Event Algorithm with Dose Effect) method can well speed up the MD simulation of ion implantation with dose effect.

(包含剂量效应的稀有事件算法)方法可以很好的加速含剂量效应的离子注入的分子动力学模拟。