molecular beam epitaxy的意思|示意
分子束外延
molecular beam epitaxy的用法详解
Molecular beam epitaxy (MBE) 是一种用来制造薄膜材料的技术。在MBE过程中，通过高速喷射分子束，将需要制造的半导体材料分子沉积到基底表面，从而形成一层晶体薄膜。这种技术在制造微电子和光电子元件方面具有重要的应用。
MBE的过程中需要用到高真空技术，以便将制造材料分子的气态物质从其它杂质中分离出来，从而避免杂质的影响。此外，MBE还需要控制流速和分子束的能量，以确保沉积到基底表面的分子数量和质量的准确控制。
MBE广泛应用于制造高品质的半导体材料、太阳能电池、光电器件以及各种电子器件等。其具有高生长速率、高晶体质量、降低掺杂等优势。因此，它已成为制造目标材料的重要技术之一，为先进基础科学和现代技术发展做出了巨大贡献。
molecular beam epitaxy相关短语
1、 laser molecular beam epitaxy 激光分子束外延,用激光分子束外延
2、 organic molecular beam epitaxy 有机分子束外延
3、 silicon molecular beam epitaxy 硅分子束外延
4、 Molecular Beam Epitaxy MBE 分子束外延
5、 metal-organic molecular beam epitaxy 金属有机物分子束泵晶
6、 MBE-Molecular Beam Epitaxy 分子束外延法
7、 solid source molecular beam epitaxy 固源分子束外延
8、 molecular-beam epitaxy 分子束外延
molecular beam epitaxy相关例句
BaTiO 3 ( BTO ) ferroelectric thin films were deposited directly on Si ( 100 ) single crystal substrates with laser molecular beam epitaxy ( LMBE ).
利用激光分子束外延(LMBE ) 方法在Si ( 100 ) 基片上直接生长BaTiO3 ( BTO ) 铁电薄膜.
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