oxide isolation的意思|示意
[电子] 氧化物隔离
oxide isolation的用法详解
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英语单词oxide isolation的用法讲解
Oxide isolation是一种半导体器件制造过程中常用的技术，它的作用是用氧化物将芯片电路中的不同部分隔离开来。通过这种隔离技术，可以避免电路之间互相干扰和内部短路，提高芯片的可靠性和性能。
Oxide isolation技术在现代半导体制造中得到广泛应用，特别是在CMOS工艺中。它可以用于制造各种晶体管、电容、电阻、电感等电子元器件，同时也为集成电路的制造提供了基础。
在oxide isolation技术中，氧化物通常是二氧化硅（SiO2）。氧化层可以通过热氧化法、化学气相沉积法等方法制备，这些方法可以在半导体表面生成一层厚度为0.1至1微米的氧化层，然后通过微细加工技术将如此分别被隔离出来的器件元件进行连接。
由于oxide isolation技术的应用，可以使得半导体器件被隔离并避免了不必要的传导和干扰现象，同时也能降低电路的功耗。因此，这种隔离技术已经成为了现代半导体制造中不可或缺的一部分。
'oxide isolation相关短语
1、 air oxide isolation 空气
2、 buried oxide isolation process 隐埋氧化物隔离工艺
3、 oxide-isolation-isoplanar 翻译
4、 isolation oxide 绝缘氧化物,隔绝氧化层
5、 local buried oxide isolation 局部隐埋氧化物隔离
6、 isolation by porous oxide 多孔氧化物隔离